參數(shù) | 符號(hào) | 范圍 | 單位 |
電壓電壓 | VDD | +3.3~+7.5 | V |
邏輯輸入電壓 | VI | -0.5~VDD+0.5 | V |
工作溫度 | Topt | -40~+80 | ℃ |
儲(chǔ)存溫度 | Tstg | -65~+120 | ℃ |
ESD耐壓 | VESD | 4K | V |
參數(shù) | 符號(hào) | **小 | 典型 | 比較大 | 單位 | 測(cè)試條件 |
芯片內(nèi)部電源電壓 | VDD | --- | 5.2 | --- | V | --- |
R/G/B端口耐壓 | VDS,MAX | --- | --- | 17 | V | --- |
比較大LED輸出電流 | Iomax | --- | --- | 18 | mA | ---- |
時(shí)鐘高電平寬度 | TCLKH | --- | --- | >30 | ns | --- |
時(shí)鐘低電平寬度 | TCLKL | --- | --- | >30 | ns | --- |
數(shù)據(jù)建立時(shí)時(shí)間 | TSETUP | --- | --- | >10 | ns | --- |
PWM頻率 | FPWM | --- | 1.6 | --- | KHZ | --- |
靜態(tài)功耗 | IDD | --- | 1 | --- | mA | --- |
T0H | 0碼, 高電平時(shí)間 | 0.35µs | ±0.150ns |
T0L | 0碼, 低電平時(shí)間 | 1.36µs | ±0.150ns |
T1H | 1碼, 高電平時(shí)間 | 1.36µs | ±0.150ns |
T1L | 1碼, 低電平時(shí)間 | 0.35µs | ±0.150ns |
WT | 等待處理時(shí)間 | 12µs | ±0.150ns |
RES | Reset碼,低電平時(shí)間 | 50µs | |
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